東京高等裁判所平成３年（行ケ）１５５号判決

東京都新宿区西新宿二丁目３番１号

原告

セイコーエプソン株式会社

代表者代表取締役

安川英昭

訴訟代理人弁理士

石井康夫

同

鈴木喜三郎

同

上柳雅誉

東京都千代田区霞が関三丁目４番３号

被告

特許庁長官　高島章

指定代理人

飛鳥井春雄

同

今野朗

同

土屋良弘

主文

原告の請求を棄却する。

訴訟費用は原告の負担とする。

事実及び理由

第１　当事者の求めた判決

１　原告

特許庁が、昭和６３年審判第２２号事件について、平成３年４月１８日にした審決を取り消す。

訴訟費用は被告の負担とする。

２　被告

主文と同旨

第２　当事者間に争いのない事実

１　特許庁における手続の経緯

原告は、昭和５４年９月１８日、名称を「半導体装置の製造方法」とする発明（以下「本願発明」という。）につき特許出願をした（昭和５４年特許願第１１９８０８号）が、昭和６２年１０月２１日に拒絶査定を受けたので、同年１２月２４日、これに対する不服の審判の請求をした。

特許庁は、同請求を昭和６３年審判第２２号事件として審理したうえ、平成３年４月１８日、「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決をし、その謄本は、同年６月８日、原告に送達された。

２　本願の特許請求の範囲の記載

「半導体基板に第１導電型ウエル及び第２導電型ウエルを形成した後、能動素子、受動素子を前記第１導電型ウエル及び前記第２導電型ウエルに形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に酸化に対してマスク作用を有する耐酸化膜を選択的に形成する工程と、前記耐酸化膜を形成した部分をマスクとして前記半導体基板中に第１導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域を形成する工程と、前記耐酸化膜をマスクとして前記第１導電型ウエル領域を選択酸化し、前記第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成する工程と、前記耐酸化膜をエッチング除去する工程と前記選択酸化膜をマスクとして前記半導体基板中に第２導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域に隣接して前記第２導電型ウエル領域を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」

３　審決の理由

審決は、別添審決書写し記載のとおり、本願発明の要旨を上記特許請求の範囲の記載のとおりと認め、本願発明は、特開昭４９－７９１８９号公報（以下「引用例１」といい、その発明を「引用例発明１」という。）及び実願昭５２－１５９６７９号のマイクロフィルム（昭和５４年６月１８日特許庁発行、以下「引用例２」といい、その発明を「引用例発明２」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法２９条２項に該当し、特許を受けることができないと判断した。

第３　原告主張の審決取消事由の要点

審決の理由中、本願の特許請求の範囲の記載、各引用例の記載事項、本願発明と引用例発明１との一致点・相違点の各認定は認める。相違点の検討は争う。

審決は、本願発明の要旨を誤認したため相違点についての判断を誤り、その結果誤った結論に至ったものであるから、違法として取り消されなければならない。

１　審決は、本願発明と引用例発明１との相違点についての検討において、引用例発明２につき、「第２引用例には、ｎ型Ｓｉ基板表面に第１のＳｉＯ2膜およびＳｉ3Ｎ4膜を形成する工程と、前記両膜を選択的に除去する工程と、前記両膜をマスクとして前記基板にボロンを打ちこみ、その後酸素雰囲気中の拡散によりｐ型ウエルを形成すると共にその上に第２のＳｉＯ2膜を形成する工程と、前記Ｓｉ3Ｎ4膜および第１のＳｉＯ2膜を除去した後、前記第２のＳｉＯ2膜をマスクとして前記基板にリンを打ち込むことにより前記ｐ型ウエルに隣接してｎ型チャンネルストッパーを形成する工程とを備える半導体装置の製造方法が示されており、また上記第２引用例には前記製造方法の効果として、１枚のマスクでウエルの形成およびウエル間のチャンネルストッパを形成することができ、しかもマスク合せの誤差を考える必要がなく自己整合的に行えることが示されており、さらに上記第２引用例におけるＳｉ3Ｎ4膜が、酸化に対してマスク作用を有する耐酸化膜であることは当業者の技術常識である。」（審決書６頁１８行～７頁１６行）と認定し、「もっとも、上記第２引用例では、ｎ型領域がチャンネルストッパーであって、ｎ型ウエルではないが、第２引用例の方法は、第１導電型領域に隣接して第２導電型領域を自己整合的に形成する方法であるから、この方法がｎ型ウエルの形成方法に適用可能なことは、当業者には明らかである。」（同７頁１７行～８頁２行）としたうえ、本願発明の構成は、「前記第１引用例に示されているＰ型ウエルおよびＮ型ウエルを有する半導体装置の製造法に対して、第２引用例に示されている耐酸化膜を利用してＰ型領域とＮ型領域を自己整合的に形成する方法を単に適用したものに過ぎない」（同８頁１４～１９行）と判断した。

２　しかし、引用例発明２において本願発明の第１導電型ウエル領域上に形成される選択酸化膜に対応する役割を果たす第２のＳｉＯ2膜は、審決の上記認定のとおり、Ｐ型ウエルを形成するために基板に打ち込んだボロンを拡散させてＰ型ウエルを形成する工程において形成されるものであるから、そこでは、選択酸化膜である第２のＳｉＯ2膜の形成は、Ｐ型ウエルを形成するためのボロンの拡散と不可分の工程とされていることが明らかである。

したがって、もし、審決のいうように「前記第１引用例に示されているＰ型ウエルおよびＮ型ウエルを有する半導体装置の製造法に対して、第２引用例に示されている耐酸化膜を利用してＰ型領域とＮ型領域を自己整合的に形成する方法を単に適用した」とするならば、そのようにして生まれるＰ型ウエル及びＮ型ウエルを有する半導体装置の製造法においても、選択酸化膜（第２のＳｉＯ2膜）の形成はＰ型ウエル形成のためのイオンの拡散と不可分の工程として行われることにならざるをえない。

そして、選択酸化膜がこのようにして形成されることになれば、Ｐ型ウエルの領域が形成された後、この領域に選択酸化膜が形成される過程において、この領域にＰ型ウエルを形成するための拡散が既に生じているから、Ｎ型ウエルの形成は、Ｐ型ウエル形成のためのイオンの存在する領域が拡散した状態で行われることになり、したがって、半導体装置を設計する上でのＰ型ウエルの領域とＮ型ウエルの領域との境界部分のＮ型領域側にＰ型領域が深く入り込むために、設計どおりに正確なＰ－Ｎ接合面を一定位置に止め、所望の境界を形成することは不可能となり、また、Ｐ型領域の不純物濃度は、形成時よりも低くなり、本願発明の目的とするところは達成できなくなる。

引用例発明２は、Ｐ型ウエルに隣接してＮ型チャンネルストッパーを形成する方法に係るものであるから、このような不都合を考慮に入れる必要はないが、本願発明のようなツインウエルの形成においては、この問題は重大な意味を有し、この問題の解決こそが、本願発明の重要な課題の一つであったのである。

３　この引用例発明２とは異なり、本願発明においては、選択酸化膜が形成される工程において、第１の領域に実質的意味での拡散が生ずることはない。

すなわち、本願発明では、上記工程において、イオンの拡散を完全に排除し切ることは実際上困難であるとしても、以下のとおり、上述の引用例発明２におけるＰ型ウエルを形成するためのボロンの拡散の程度に強固な拡散は生じさせないものとされているのである。

(1) 　酸化膜の形成と不純物の拡散とは、本来、別個の現象であり、しかも、両者には、一体不可分の関係はなく、拡散を実質的に生じさせない条件のもとで酸化の条件を設定しうることは周知の事項であり、そのための方法も確立された技術である。例えば、「エレクトロニクス」昭和５１年４月号（甲第１１号証）には、１０００～１１００℃、酸素－水蒸気混合ガス中で熱処理すれば、実質的に拡散を生ずることなく、シリコン基板表面を酸化させうることが記載されている（同号証４９頁３図、４７頁右欄９～１４行）。

したがって、拡散を実質的に生じさせることなく酸化膜を形成することを示す場合にも、これを表現するに当たり、拡散を生じさせない酸化条件を記載する場合もあるが、それを記載しないことも通例であり（甲第１２号証・昭和５４年４月２５日発行「電子通信学会誌」第６２巻第４号３９４頁図１）、この点は、特許明細書においても変わりはない。酸化条件の記載のある場合（甲第１３号証・特開昭４８－２９３７６号公報、甲第１４号証・特開昭５０－５１２７６号公報）も、酸化条件の記載のない場合（甲第１５号証・特開昭４９－３８５８５号公報、甲第１６号証・特開昭４９－４０４８５号公報、甲第１７号証・特開昭５１－１３５３８１号公報、甲第１８号証・特開昭５１－１４７９７４号公報、甲第１９号証・特公昭５２－１０７７７７号公報）も、その技術内容は十分に理解できるものである。

(2) 　そうとすれば、選択酸化膜のみを形成することを表現するためには、単に「選択酸化膜を形成する工程」と記載するだけで足り、不純物の拡散の生じないことを特に明示する必要はないというべきであるから、本願明細書及び図面（甲第２号証、以下、図面を含め「本願明細書」という。）において、特許請求の範囲の記載のみならず発明の詳細な説明の欄にも、「選択酸化膜を形成する工程」と記載するだけでイオンの実質的拡散について触れていない以上、そこでは、実質的な拡散は生じないものとされていると理解するのが、正当な理解の仕方であるといわなければならない。

のみならず、本願発明の選択酸化膜を形成す、る工程がイオンの実質的拡散を伴わないものであることは、本願明細書において、熱拡散前のＰ－Ｎ接合面のそれぞれの不純物濃度が同一でないことを従来技術の欠点の一つとしてとらえ、本願発明がこれを解決しようとするものであることを明示し（同号証３欄１９～４０行）、本願発明の作用として、「Ｐ型ウエル領域とＮ型ウエル領域とが接して形成されるＰ－Ｎ接合面は、それぞれの領域の不純物濃度が加熱によつて移動しない程度に等しいので、後工程の加熱条件によるＰ－Ｎ接合面の移動を防止することができる。このような不純物濃度が略等しい導電型の異なる２種類のウエル領域を選択酸化法を用いて形成することにより、・・・」（同４欄２６～３３行）と記載して、本願発明においては、不純物濃度が同程度である各ウエル領域が隣接形成された後、その状態で各領域における不純物の実質的拡散が行われる旨を明確にしていることからも明らかといわなければならない。

４　以上のとおり、本願発明と引用例発明２との間には、選択酸化膜が形成される工程において、第１の領域に実質的意味での拡散が生ずるか否かで明白な相違があり、この相違は本願発明の課題実現との関係で重大な意味を有するものであるにもかかわらず、審決は、本願発明の要旨を誤認したためこの相違を看過し、その結果これについて何らの検討も加えないまま、本願発明の構成は、「前記第１引用例に示されているＰ型ウエルおよびＮ型ウエルを有する半導体装置の製造法に対して、第２引用例に示されている耐酸化膜を利用してＰ型領域とＮ型領域を自己整合的に形成する方法を単に適用したものに過ぎない」（同８頁１４～１９行）との判断に至るという誤りを犯したものであり、この誤りが結論に影響を及ぼすことは明らかであるから、審決は、違法として取り消されなければならない。

第４　被告の反論の要点

審決の認定判断は正当であり、原告主張の審決取消事由は理由がない。

１　引用例発明２の構成及びその作用効果に関する原告主張は認める。酸化と拡散の関係について原告の述べるところは、あえて争わない。

２　本願発明の要旨の解釈についての原告の主張は、本願発明が、選択酸化膜が形成される工程において第１の領域に実質的意味での拡散が生じないものを包含することの論証とはなりえても、本願発明が同拡散が生ずるものを包含しないとの論証とはなりえない。

まず、本願明細書中には、その特許請求の範囲の記載を含め、選択酸化膜が形成される工程において第１の領域に実質的意味での拡散が生じない旨の明示の記載が一切存在せず、かつ、不純物の拡散を防ぐ特別な手段や条件も何ら記載されていないから、本願発明は、上記実質的意味での拡散が生ずるものと、生じないもののいずれをも包含するものといわなければならない。

次に、原告は、本願発明が、ツインウエルのＰ－Ｎ接合面を一定位置に止めるために、隣接する二つのウエル領域に不純物を濃度が同程度になるように注入した後、初めて、熱拡散処理を行うものである旨を主張するが、本願の特許請求の範囲には、二つのウエル領域の不純物濃度については何も記載されておらず、また、イオン打ち込みによってウエルを形成するに当たり、イオン打ち込み後に熱処理を実施するものであることは当然のことであるものの、二つのウエル領域を隣接して形成した後、初めて、熱拡散処理を行うものである点は、本願の特許請求の範囲に全く記載されていないのみでなく、発明の詳細な説明にも記載されていないところであるから、これらを前提とする原告主張は失当である。

３　審決は、引用例発明１のツインウエルの存在を前提として、引用例発明２の適用を述べているのであり、引用例発明１においては、二つのウエルは深さが異なっており、また、不純物濃度も同じとはいえないものであるから、ウエルの深さ及び不純物濃度等の条件は、当業者が適宜変更できる設計事項というべきことであって、引用例発明２を引用例発明１に適用するに当たっては、このような設計事項を考慮することは当然のことである。

そして、引用例２には、導電型の異なる二つの領域を隣接して自己整合的に形成することが示されており、この技術がツインウエルの形成に適用できないとする合理的根拠も、また格別の事情も存在しないから、引用例発明２を引用例発明１のツインウエルの形成に適用できるとした審決の判断に誤りはない。

第５　証拠

本件記録中の書証目録の記載を引用する。書証の成立はいずれも当事者間に争いがない。

第６　当裁判所の判断

１　引用例発明２の構成及び作用効果が原告主張のとおりであり、そこでは、本願発明の第１導電型ウエル領域上に形成される選択酸化膜に対応する第２のＳｉＯ2膜は、基板に打ち込んだボロンを拡散させてＰ型ウエルを形成する工程において形成されること、すなわち、引用例発明２においては、選択酸化膜である第２のＳｉＯ2膜の形成は、ボロンの実質的意味における拡散と不可分の工程とされていることについては、当事者間に争いがない。

一方、本願の特許請求の範囲の記載が前示のとおりであり、そこに、「前記耐酸化膜をマスクとして前記第１導電型ウエル領域を選択酸化し、前記第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成する工程」において、第１導電型ウエル領域に第１導電型イオンの実質的意味での拡散が生ずるか否かについての明示の記載はないことは、当事者間に争いがない。

原告は、本願発明においては、選択酸化膜が形成される工程において、第１導電型ウエル領域に実質的意味での拡散が生ずることはない旨を主張し、被告はこれを争うが、本願明細書の記載全体を検討すれば、原告の主張するとおりに、本願発明を把握することができるものというべきである。

そうとすると、本願発明においては、第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成する工程において、第１導電型ウエル領域に第１導電型イオンの実質的意味での拡散が生じないのに対し、引用例発明２においては、この拡散が生ずるとの差異があるものといわなければならない。

２　ところで、本願の特許請求の範囲に記載された「半導体基板上に酸化に対してマスク作用を有する耐酸化膜を選択的に形成する工程と、前記耐酸化膜を形成した部分をマスクとして前記半導体基板中に第１導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域を形成する工程と、前記耐酸化膜をマスクとして前記第１導電型ウエル領域を選択酸化し、前記第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成する工程と、前記耐酸化膜をエッチング除去する工程と前記選択酸化膜をマスクとして前記半導体基板中に第２導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域に隣接して前記第２導電型ウエル領域を形成する工程」と、原告も認める審決の認定した引用例発明２の構成を対比すると、「前記耐酸化膜をマスクとして前記第１導電型ウエル領域を選択酸化し、前記第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成する工程」において、上記のとおり、本願発明においては第１導電型ウエル領域に第１導電型イオンの実質的意味での拡散が生じないのに対し、引用例発明２においてはこの拡散が生ずるとの差異があるとの点、及び、「前記選択酸化膜をマスクとして前記半導体基板中に第２導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域に隣接して」形成されるものが、本願発明においては、「第２導電型ウエル領域」であるのに対し、引用例発明２においては、第２導電型のチャンネルストッバーであるとの差異があるとの点を除けば、両者の工程において差異はないと認められる。

そして、この差異を除いた場合、本願発明と引用例発明２とが一致する上記の方法を採用することによって、両者ともに、マスク合わせの誤差を考える必要がなく自己整合的に、第１導電型領域と第２導電型領域を形成することができ、ホトエッチ工程を１回ですますことができることは、上記工程の順序から明らかである。

３　原告は、本願発明と引用例発明２との第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成する工程において、上記のとおり、本願発明においては第１導電型ウエル領域に第１導電型イオンの実質的意味での拡散が生じないのに対し、引用例発明２においてはこの拡散が生ずるとの差異があるとの点につき、審決のいうように「前記第１引用例に示されているＰ型ウエルおよびＮ型ウエルを有する半導体装置の製造法に対して、第２引用例に示されている耐酸化膜を利用してＰ型領域とＮ型領域を自己整合的に形成する方法を単に適用した」とするならば、そのようにして構成されるＰ型ウエル及びＮ型ウエルを有する半導体装置の製造法においても、選択酸化膜（第２のＳｉＯ2膜）の形成はＰ型ウエル形成のためのイオンの拡散と不可分の工程として行われることにならざるをえないから、本願発明の目的を達成できない旨主張する。

しかし、酸化膜の形成と不純物の拡散とは、本来、別個の現象であり、しかも、両者には、一体不可分の関係はなく、拡散を実質的に生じさせない条件のもとで酸化の条件を設定しうることは周知の事項であり、そのための方法も確立された技術であることも、当事者間に争いがないところである。

そうすると、Ｐ型ウエルに隣接してＮ型チャンネルストッパーを形成する方法に係る引用例発明２の方法を、本願発明と同じく第１導電型ウエル領域に隣接して第２導電型ウエル領域を形成する方法である引用例発明１に適用するに当たり、第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成する工程において、上記周知技術を適用して、第１導電型ウエルの領域に第１導電型イオンの実質的意味での拡散が生じないようにすることは、当業者にとって格別の困難性はないものといわなければならない。

以上によれば、引用例発明１に引用例発明２を適用し、周知技術を勘案して本願発明の構成とすることは、当業者にとって容易になしうることといわなければならない。

審決は、上記周知技術について論及することなく、本願発明は、引用例発明１に引用例発明２を「単に適用したものに過ぎないから、このようにすることは、当業者にとって格別な発明力を要することということはできない」（審決書８頁１８行～９頁１行）と述べており、この点において論旨不十分のきらいはあるが、当該技術分野における周知技術の適用を前提とする場合、これを明記して示さなくとも、当業者にはその趣旨が理解できることが本来というべきであり、審決の論旨も、その趣旨は、上記説示と変わるところはないと認められるから、原告主張の審決取消事由は採用することができず、その他審決にこれを取り消すべき瑕疵は見当たらない。

４　よって、原告の本訴請求は理由がないからこれを棄却し、訴訟費用の負担につき行政事件訴訟法７条、民事訴訟法８９条を適用して、主文のとおり判決する。

（裁判長裁判官　牧野利秋　裁判官　山下和明　裁判官　芝田俊文）

昭和６３年審判第２２号

審決

東京都新宿区西新宿２丁目４番１号

請求人　セイコーエプソン株式会社

神奈川県小田原市東町１丁目２０番３４号

代理人弁理士　石井康夫

東京都新宿区西新宿２丁目４番１号　セイコーエプソン株式会社内

代理人弁理士　鈴木喜三郎

東京都新宿区西新宿２－４－１　セイコーエプソン株式会社　特許室

代理人弁理士　上柳雅誉

昭和５４年特許願第１１９８０８号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成１年３月２２日出願公告、特公平１－１６０１８）について、次のとおり審決する。

結論

本件審判の請求は、成り立たない．

理由

本願は、昭和５４年９月１８日の出願であって、その発明の要旨は、当審において出願公告された明細書と図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載されたとおりの、

これに対して、当審における特許異議申立人高橋良幸が甲第２号証として提出した特開昭４９－７９１８９号公報（以下、第１引用例という）には、「Ｎ型半導体基体上に二酸化珪素からなるマスク層を選択的に形成する工程と、前記マスクを用いてＰ型不純物のイオンを選択的に前記半導体基体に導入してＰ型ボケットを形成する工程と、前記Ｐ型ボケット上をホトレジストにより覆う工程と、前記ホトレジストをマスクとしてＮ型不純物のイオンを前記半導体基体に導入することにより前記Ｐ型ボケットに隣接してＮ型薄層を形成する工程とを備えることを特徴とする相補型電界効果トランジスタの製造方法」が記載されている。

また、同じく同人が甲第１号証として提出した実願昭５２－１５９６７９号（実開昭５４－８５９７６号公報）のマイクロフィルム（昭和５４年６月１８日特許庁発行）（以下、第２引用例という）には、「ｎ型Ｓｉ基板表面に第１のＳｉＯ2膜およびＳｉ3Ｎ4膜を形成する工程と、前記両膜を選択的に除去する工程と、前記両膜をマスクとして前記基板にボロンを打ちこみ、その後酸素雰囲気中の拡散によりｐ型ウエルを形成すると共にその上に第２のＳｉＯ2膜を形成する工程と、前記Ｓｉ3Ｎ4膜および第１のＳｉＯ2膜を除去した後、前記第２のＳｉＯ2膜をマスクとして前記基板にリンを打ち込むことにより前記ｐ型ウエルに隣接してｎ型チャンエルストッバーを形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法」が開示されており、そして同引用例には「１枚のマスクでウエルの形成およびウエル間のチャンネルストッパを形成することができる。しかも当然のことながらマスク合せの誤差を考える必要がなく自己整合的に行える」旨の記載がなされている。

そこで、本願発明と第１引用例に記載されている発明とを対比、検討するに、第１引用例におけるＰ型ボケットおよびＮ型薄層は、本願発明の第１導電型ウエルおよび第２導電型ウエルに、それぞれ対応しており、また第１引用例に示されている二つのウエルを有する半導体装置において、両ウエルに能動素子、受動素子を形成することは当業者の技術常識であるから、結局両者は、「半導体基板に第１導電型ウエル及び第２導電型ウエルを形成した後、能動素子、受動素子を前記第１導電型ウエル及び前記第２導電型ウエルに形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に第１導電型のイオンに対してマスク作用を有する膜を選択的に形成する工程と、前記膜をマスクとして前記半導体基板中に第１導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域を形成する工程と、前記第１導電型ウエル領域上に第２導電型のイオンに対してマスク作用を有する層を形成する工程と、前記層をマスクとして前記半導体基板中に第２導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域に隣接して前記第２導電型ウエル領域を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」という点では共　しているが、本願発明は、半導体基板上に酸化に対してマスク作用を有する耐酸化膜を選択的に形成する工程と、前記耐酸化膜を形成した部分をマスクとして前記半導体基板中に第１導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域を形成する工程と、前記耐酸化膜をマスクとして前記第１導電型ウエル領域を選択酸化し、前記第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成する工程と、前記耐酸化膜をエッチング除去する工程と、前記選択酸化膜をマスクとして前記半導体基板中に第２導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域に隣接して前記第２導電型ウエル領域を形成する工程を有しているのに対して、第１引用例には、このような工程が記載されていない点で、両者は一応相違している。

よって、上記各相違点について以下検討する。

第２引用例には、ｎ型Ｓｉ基板表面に第１のＳｉＯ2膜およびＳｉ3Ｎ4膜を形成する工程と、前記両膜を選択的に除去する工程と、前記両膜をマスクとして前記基板にボロンを打ちこみ、その後酸素雰囲気中の拡散によりｐ型ウエルを形成すると共にその上に第２のＳｉＯ2膜を形成する工程と、前記Ｓｉ3Ｎ4膜および第１のＳｉＯ2膜を除去した後、前記第２のＳｉＯ2膜をマスクとして前記基板にリンを打ち込むことにより前記ｐ型ウエルに隣接してｎ型チャンエルストッバーを形成する工程とを備える半導体装置の製造方法が示されており、また上記第２引用例には前記製造方法の効果として、１枚のマスクでウエルの形成およびウエル間のチャンネルストッパを形成することができ、しかもマスク合せの誤差を考える必要がなく自己整合的に行えることが示されており、さらに上記第２引用例におけるＳｉ3Ｎ4膜が、酸化に対してマスク作用を有する耐酸化膜であることは当業者の技術常識である。

もっとも、上記第２引用例では、ｎ型領域がチャンネルストッパーであって、ｎ型ウエルではないが、第２引用例の方法は、第１導電型領域に隣接して第２導電型領域を自己整合的に形成する方法であるから、この方法がｎ型ウエルの形成方法に適用可能なことは、当業者には明らかである。

したがって、半導体基板上に酸化に対してマスク作用を有する耐酸化膜を選択的に形成し、前記耐酸化膜を形成した部分をマスクとして前記半導体基板中に第１導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域を形成し、前記耐酸化膜をマスクとして前記第１導電型ウエル領域を選択酸化して前記第１導電型ウエル領域上に選択酸化膜を形成し、前記耐酸化膜をエッチング除去し、前記選択酸化膜をマスクとして前記半導体基板中に第２導電型のイオンを導入することにより前記第１導電型ウエル領域に隣接して前記第２導電型ウエル領域を形成することは、前記第１引用例に示されているＰ型ウエルおよびＮ型ウエルを有する半導体装置の製造法に対して、第２引用例に示されている耐酸化膜を利用してＰ型領域とＮ型領域とを自己整合的に形成する方法を単に適用したものに過ぎないから、このようにすることが、当業者にとって格別な発明力を要することということはできない。

したがって、本願発明は、上記第１引用例および第２引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

よって、結論のとおり審決する。

平成３年４月１８日

審判長　特許庁審判官　（略）

特許庁審判官　（略）

大判例

東京高等裁判所 平成３年（行ケ）１５５号 判決

主文

理由

東京高等裁判所平成３年（行ケ）１５５号判決